陜西開(kāi)爾文測(cè)控技術(shù)有限公司
認(rèn)證資料 Certification Data
陜西開(kāi)爾文測(cè)控技術(shù)有限公司
- 聯(lián)系人:杜浩晨
- 官網(wǎng)地址:www.kewtest.cn
- 經(jīng)營(yíng)模式:制造商
- 主營(yíng)產(chǎn)品:IGBT測(cè)試儀,IGBT測(cè)試系統(tǒng),半導(dǎo)體器件測(cè)試儀,軌道交通IGBT測(cè)試儀
- 所在地:陜西省#陜西省陜西省西安市高新區(qū)工業(yè)園發(fā)展大道26號(hào)
- 供應(yīng)產(chǎn)品:55
產(chǎn)品詳情
Product details陜西半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家1、設(shè)備功能 適用于二極管、三極管、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT、整流橋、可控硅、光耦等十三大類(lèi)半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試 2、運(yùn)行條件 溫度:25±5℃ 相對(duì)濕度:<60%,在/或低于30℃ 通風(fēng)條件:設(shè)備四面距離墻面大于5cm 交流電源:220V±10%,47-63Hz,良好的測(cè)試儀器接地 3、可測(cè)試器件種類(lèi)及參數(shù) ①二極管:DIODE 測(cè)試參數(shù):IR、BVR、VF ②晶體管:TRANSISTOR(NPN 型、PNP型) 測(cè)試參數(shù):ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON) ③穩(wěn)壓(納)二極管:ZENER 測(cè)試參數(shù):IR、VZ MIN、VZ MAX、VF ④結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管:J-FET(N-溝/P-溝,耗盡型/增強(qiáng)型) 測(cè)試參數(shù):IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFS ⑤MOS 場(chǎng)效應(yīng)管:POWER MOSFET(N-溝/P-溝) 測(cè)試參數(shù):IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON,VF、IDON、VGSON、RDSON、gFS ⑥三端穩(wěn)壓器:REGULATOR(正電壓/負(fù)電壓,固定/可變) 測(cè)試參數(shù):VOUT、IIN ⑦光電耦合器:OPTO-COUPLER(NPN 型PNP 型) 測(cè)試參數(shù):ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF ⑧可控硅整流器(普通晶閘管)SCR 測(cè)試參數(shù):IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH ⑨雙向可控硅(雙向晶閘管)TRIAC 測(cè)試參數(shù):IDRM IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+VT-、I GT1/2/3/4、VGT 1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH- ⑩絕緣柵雙極大功率晶體管:IGBT(NPN 型PNP 型) 測(cè)試參數(shù):ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF ⑾繼電器:RELAY 測(cè)試參數(shù):RCOIL,VOPER,V
聯(lián)系方式
Contact Us- 聯(lián)系人姓名:杜浩晨
- 聯(lián)系人職位:經(jīng)理
- 聯(lián)系人手機(jī):13572125545
- 企業(yè)電話:86-029-89188495
- 詳細(xì)地址:陜西省#陜西省陜西省西安市高新區(qū)工業(yè)園發(fā)展大道26號(hào)